• 3401
• LUCL9311AP-D
• Agere Systems Inc.
• Line Interface and Line Access Circuit Full- Feature SLIC with High Longitudinal Balance, Ringing Re
• 48页
• 753K

• 3402
• LUCL9311AP-DT
• Agere Systems Inc.
• Line Interface and Line Access Circuit Full- Feature SLIC with High Longitudinal Balance, Ringing Re
• 48页
• 753K

• 3403
• LUCL9311GP-D
• Agere Systems Inc.
• Line Interface and Line Access Circuit Full- Feature SLIC with High Longitudinal Balance, Ringing Re
• 48页
• 753K

• 3404
• LUCL9311GP-DT
• Agere Systems Inc.
• Line Interface and Line Access Circuit Full- Feature SLIC with High Longitudinal Balance, Ringing Re
• 48页
• 753K

• 3405
• LXT914
• Intel Corporation
• Multi-Port Repeater
• 14页
• 227K

• 3406
• LXT914PC
• Intel Corporation
• Flexible Quad Ethernet Repeater
• 14页
• 227K

• 3407
• LXT914PE
• Intel Corporation
• Flexible Quad Ethernet Repeater
• 14页
• 227K

• 3408
• LXT914QC
• Intel Corporation
• Flexible Quad Ethernet Repeater
• 14页
• 227K

• 3409
• LXT915QC
• Intel Corporation
• Simple Quad Ethernet Repeater
• 28页
• 598K

• 3410
• LC505
• Gennum Corporation
• High Gain Class A Amplifier
• 4页
• 102K

• 3411
• LC505
• Gennum Corporation
• High Gain Class A Amplifier
• 4页
• 102K

• 3412
• MF1011B900Y
• Philips Semiconductors
• Microwave Power Transistor
• 12页
• 75K

• 3413
• MF1017S-1
• Mitsubishi Electric Corporation
• SAW filter
• 1页
• 147K

• 3414
• MF1017S-2
• Mitsubishi Electric Corporation
• Filter, Passive, RF & IF
• 1页
• 142K

• 3415
• MF1018S-1
• Mitsubishi Electric Corporation
• Filter, Passive, RF & IF
• 1页
• 146K

• 3416
• MF1018S-2
• Mitsubishi Electric Corporation
• Filter, Passive, RF & IF
• 1页
• 144K

• 3417
• MF1018S-4
• Mitsubishi Electric Corporation
• Filter, Passive, RF & IF
• 1页
• 137K

• 3418
• MF1117V-2
• Mitsubishi Electric Corporation
• Filter, Passive, RF & IF
• 1页
• 36K

• 3419
• MF35-1000
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3420
• MF35-1000R
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3421
• MF35-1200
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3422
• MF35-1200R
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3423
• MF35-600
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3424
• MF35-600R
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3425
• MF35-800
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3426
• MF35-800R
• Dynex Semiconductor Ltd.
• Fast Recovery Diode
• 8页
• 68K

• 3427
• MG100Q1JS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 251K

• 3428
• MG150Q1JS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 252K

• 3429
• MG15Q6ES42
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 256K

• 3430
• MG15Q6ES51
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 7页
• 258K

• 3431
• MG2000
• Motorola Inc.
• Mixed Mode RF and Digital Monolithic GPS Sensor
• 7页
• 616K

• 3432
• MG200Q1JS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 260K

• 3433
• MG25Q2YS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 261K

• 3434
• MG75Q1JS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 249K

• 3435
• MG75Q2YS40
• Toshiba America, Inc.
• GTR Module Silicon N Channel IGBT
• 5页
• 257K

• 3436
• MGSF1N02ELT1
• ON Semiconductor
• Power MOSFET 750 mA, 20 V
• 8页
• 70K

• 3437
• MGSF1N02ELT3
• ON Semiconductor
• Power MOSFET 750 mA, 20 V
• 8页
• 70K

• 3438
• MGSF1N02LT1
• ON Semiconductor
• Power MOSFET 750 mA, 20 V
• 8页
• 76K

• 3439
• MGSF1N02LT3
• ON Semiconductor
• Power MOSFET 750 mA, 20 V
• 8页
• 76K

• 3440
• MGUG040003L2DP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3441
• MGUG040003L2DX
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3442
• MGUG040003L2RP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3443
• MGUG040003L2RX
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3444
• MGUG040003L2TP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3445
• MGUG040003L2TX
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3446
• MGUG040005L2DP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3447
• MGUG040005L2DX
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3448
• MGUG040005L2RP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3449
• MGUG040005L2RX
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K

• 3450
• MGUG040005L2TP
• AVX Corporation
• ESD Protection for Low Leakage Requirement
• 3页
• 390K