• 9601
• IMZ1A
• ROHM CO., LTD.
• General purpose transistor (dual transistor)
• 4页
• 55K

• 9602
• INA110AG
• Texas Instruments Incorporated
• Fast-Settling Fet-Input Instrumentation Amplifier
• 12页
• 124K

• 9603
• INA110BG
• Texas Instruments Incorporated
• Fast-Settling Fet-Input Instrumentation Amplifier
• 12页
• 124K

• 9604
• INA110KP
• Texas Instruments Incorporated
• Fast-Settling Fet-Input Instrumentation Amplifier
• 12页
• 124K

• 9605
• INA110KU
• Texas Instruments Incorporated
• Fast-Settling Fet-Input Instrumentation Amplifier
• 12页
• 124K

• 9606
• INA110SG
• Texas Instruments Incorporated
• Fast-Settling Fet-Input Instrumentation Amplifier
• 12页
• 124K

• 9607
• IPB10N03L
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Buck converter
• 8页
• 452K

• 9608
• IPD13N03LA
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS 2 Power-Transistor
• 9页
• 292K

• 9609
• IPP10N03L
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS Buck converter
• 8页
• 452K

• 9610
• IPU13N03LA
• Infineon Technologies Corporation
• OptiMOS 2 Power-Transistor
• 8页
• 1537K

• 9611
• IR2110
• International Rectifier Corp.
• High and Low Side Driver
• 15页
• 188K

• 9612
• IR2110S
• International Rectifier Corp.
• High and Low Side Driver
• 15页
• 188K

• 9613
• IR2113
• International Rectifier Corp.
• High and Low Side Driver
• 15页
• 188K

• 9614
• IR2113S
• International Rectifier Corp.
• High and Low Side Driver
• 15页
• 188K

• 9615
• IRA-E420QW1
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Temperature Compensation Single Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9616
• IRA-E420S1
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Temperature Compensation Single Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9617
• IRA-E700ST0
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Dual Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9618
• IRA-E710ST0
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Dual Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9619
• IRA-E900ST1
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Quad Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9620
• IRA-E910ST1
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Quad Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9621
• IRA-E940ST1
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Quad Type Pyroelectric Infrared Sensor
• 页
• K

• 9622
• IRAMS10UP60A
• International Rectifier Corp.
• Special Semiconductors
• 页
• K

• 9623
• IRF5YZ48CM
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 7页
• 105K

• 9624
• IRFI740GLC
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 221K

• 9625
• IRFI840GLC
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 225K

• 9626
• IRFIZ44N
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 106K

• 9627
• IRFR9110
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 6页
• 172K

• 9628
• IRFR9110TR
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 6页
• 172K

• 9629
• IRFR9110TRL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 6页
• 172K

• 9630
• IRFU9110
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 6页
• 172K

• 9631
• IRFZ44E
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 96K

• 9632
• IRFZ44EL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 163K

• 9633
• IRFZ44ES
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 163K

• 9634
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• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 163K

• 9635
• IRFZ44ESTRR
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 163K

• 9636
• IRFZ44N
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 100K

• 9637
• IRFZ44NL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 151K

• 9638
• IRFZ44NS
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 151K

• 9639
• IRFZ44NSTRL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 151K

• 9640
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• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 151K

• 9641
• IRG4BC10SD-L
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 12页
• 217K

• 9642
• IRG4BC10SD-S
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 12页
• 217K

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• IRG4BC20FD-S
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

• 9644
• IRG4BC20FD-STRL
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

• 9645
• IRG4BC20FD-STRR
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

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• IRG4BC20KD
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 199K

• 9647
• IRG4BC20KD-S
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

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• IRG4BC20KD-STRL
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

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• IRG4BC20KD-STRR
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 222K

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• IRG4BC20MD-S
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 11页
• 200K