• 1001
• 10MQ100N
• International Rectifier Corp.
• Schottky Rectifier
• 6页
• 45K

• 1002
• 10MQ100NTR
• International Rectifier Corp.
• Schottky Rectifier
• 6页
• 45K

• 1003
• 1MBI300S-120
• Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
• IGBT Module
• 4页
• 474K

• 1004
• 1N4448HWT-7
• Diodes, Inc.
• Surface Mount Fast Switching Diode
• 2页
• 72K

• 1005
• 2N7002K
• Vishay Intertechnology, Inc.
• N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
• 5页
• 41K

• 1006
• 2N7002K-T1
• Vishay Intertechnology, Inc.
• N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
• 5页
• 41K

• 1007
• 2SA1450
• Sanyo Semiconductor Corporation
• PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
• 4页
• 127K

• 1008
• 2SC0829
• 松下資訊科技
• Silicon NPN epitaxial planar type
• 4页
• 71K

• 1009
• 2SC1980
• 松下資訊科技
• Silicon NPN epitaxial planer type
• 3页
• 56K

• 1010
• 2SC2570A
• NEC Electronics, Inc.
• HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
• 8页
• 119K

• 1011
• 2SC2570A-T
• NEC Electronics, Inc.
• HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
• 8页
• 119K

• 1012
• 2SC3066
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
• 2页
• 94K

• 1013
• 2SC3708
• Sanyo Semiconductor Corporation
• NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
• 4页
• 127K