• 351
• 1SMC9.0CA
• Central Semiconductor Corporation
• BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
• 2页
• 397K

• 352
• 1SMC90A
• Central Semiconductor Corporation
• UNI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
• 2页
• 388K

• 353
• 1SMC90CA
• Central Semiconductor Corporation
• BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
• 2页
• 397K

• 354
• 1SS350
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode
• 2页
• 53K

• 355
• 1SS356
• ROHM CO., LTD.
• Band Switching Diode
• 2页
• 51K

• 356
• 1SS358
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Schottky Barrier Diode
• 2页
• 50K

• 357
• 1SS360
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Type
• 2页
• 110K

• 358
• 1SS360F
• Toshiba America, Inc.
• Diode
• 3页
• 157K

• 359
• 1SS361
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Type
• 2页
• 154K

• 360
• 1SS362
• Toshiba America, Inc.
• DIODE
• 2页
• 122K

• 361
• 1SS364
• Toshiba America, Inc.
• Diode Silicon Epitaxial Planar type
• 2页
• 89K

• 362
• 1SS365
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Schottky Barrier Diode
• 2页
• 49K

• 363
• 1SS366
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Schottky Barrier Diode
• 2页
• 50K

• 364
• 1SS367
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 106K

• 365
• 1SS368
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 108K

• 366
• 1SS369
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 133K

• 367
• 1SS372
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 145K

• 368
• 1SS373
• Toshiba America, Inc.
• DIODE
• 2页
• 121K

• 369
• 1SS374
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 156K

• 370
• 1SS375
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Schottky Barrier Diode
• 2页
• 50K

• 371
• 1SS376
• ROHM CO., LTD.
• Switching diode
• 2页
• 53K

• 372
• 1SS377
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 148K

• 373
• 1SS378
• Toshiba America, Inc.
• Epitaxial Planar Schottky Barrier Type
• 2页
• 114K

• 374
• 1SS379
• Toshiba America, Inc.
• DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR
• 2页
• 117K

• 375
• 1SS381
• Toshiba America, Inc.
• Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 2页
• 90K

• 376
• 1SS382
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Type
• 2页
• 148K

• 377
• 1SS383
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 127K

• 378
• 1SS384
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 134K

• 379
• 1SS385
• Toshiba America, Inc.
• DIODE
• 2页
• 124K

• 380
• 1SS385F
• Toshiba America, Inc.
• Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 3页
• 148K

• 381
• 1SS389
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 143K

• 382
• 1SS390
• ROHM CO., LTD.
• Band Switching Diode
• 2页
• 51K

• 383
• 1SS391
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 117K

• 384
• 1SS392
• Toshiba America, Inc.
• DIODE
• 2页
• 123K

• 385
• 1SS393
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 3页
• 151K

• 386
• 1SS394
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 145K

• 387
• 1SS395
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 147K

• 388
• 1SS396
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
• 2页
• 147K

• 389
• 1SS397
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Diode
• 3页
• 184K

• 390
• 1SS399
• Toshiba America, Inc.
• Silicon Epitaxial Planar Diode
• 3页
• 185K

• 391
• 1SV268
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Transmitting, Receiving Antenna-Switch Use PIN Diode
• 3页
• 69K

• 392
• 1SV269
• Toshiba America, Inc.
• Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 150K

• 393
• 1SV270
• Toshiba America, Inc.
• Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 140K

• 394
• 1SV271
• Toshiba America, Inc.
• SILICON EPITAXIAL PIN TYPE
• 2页
• 95K

• 395
• 1SV272
• Sanyo Semiconductor Corporation
• Transmitting, Receiving Antenna-switch Use PIN Diode
• 3页
• 69K

• 396
• 1SV276
• Toshiba America, Inc.
• Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 117K

• 397
• 1SV277
• Toshiba America, Inc.
• VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE
• 2页
• 88K

• 398
• 1SV278
• Toshiba America, Inc.
• VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE
• 3页
• 132K

• 399
• 1SV280
• Toshiba America, Inc.
• Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 117K

• 400
• 1SV281
• Toshiba America, Inc.
• Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type
• 3页
• 135K