• 1851
• IR3105C
• Everlight Electronics
• Phi 3.2mm Tower Infrared LED
• 6页
• 457K

• 1852
• IR3220
• International Rectifier Corp.
• Fully Protected H-Bridge for D.C. Motor
• 10页
• 395K

• 1853
• IR3221
• International Rectifier Corp.
• Fully Protected H-Bridge for DC Motor
• 10页
• 96K

• 1854
• IR3310S
• International Rectifier Corp.
• PROGRAMMABLE CURRENT SENSING HIGH SIDE SWITCH
• 11页
• 221K

• 1855
• IR42-21C
• Everlight Electronics
• 1.8mm Round Subminiature Infrared LED
• 8页
• 325K

• 1856
• IR4426
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1857
• IR4426S
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1858
• IR4426STR
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1859
• IR4427
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1860
• IR4427S
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1861
• IR4427STR
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1862
• IR4428
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1863
• IR4428S
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1864
• IR4428STR
• International Rectifier Corp.
• Dual Low Side Driver
• 11页
• 133K

• 1865
• IR6210
• International Rectifier Corp.
• INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
• 5页
• 99K

• 1866
• IR6216
• International Rectifier Corp.
• INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
• 5页
• 104K

• 1867
• IR6220
• International Rectifier Corp.
• INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
• 5页
• 98K

• 1868
• IR6224
• International Rectifier Corp.
• INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
• 5页
• 99K

• 1869
• IR6226
• International Rectifier Corp.
• INTELLIGENT HIGH SIDE MOSFET POWER SWITCH
• 5页
• 98K

• 1870
• IR908-7C
• Everlight Electronics
• LED
• 8页
• 215K

• 1871
• IRC530
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 226K

• 1872
• IRC540
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 222K

• 1873
• IRC630
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 229K

• 1874
• IRC634
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 228K

• 1875
• IRC640
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 228K

• 1876
• IRC644
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 225K

• 1877
• IRC730
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 223K

• 1878
• IRC740
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 221K

• 1879
• IRCP054
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 226K

• 1880
• IRF044
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Transistor
• 7页
• 144K

• 1881
• IRF044SMD
• Semelab
• N-CHANNEL POWER MOSFET
• 2页
• 21K

• 1882
• IRF054
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Transistor
• 7页
• 146K

• 1883
• IRF054SMD
• Semelab
• N-CHANNEL POWER MOSFET
• 2页
• 22K

• 1884
• IRF1010E
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 195K

• 1885
• IRF1010EL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 123K

• 1886
• IRF1010ES
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 123K

• 1887
• IRF1010ESTRL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 123K

• 1888
• IRF1010ESTRR
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 123K

• 1889
• IRF1010N
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 211K

• 1890
• IRF1010NL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 146K

• 1891
• IRF1010NS
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 146K

• 1892
• IRF1010NSTRL
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 146K

• 1893
• IRF1010NSTRR
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 10页
• 146K

• 1894
• IRF1104
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 8页
• 101K

• 1895
• IRF1205
• International Rectifier Corp.
• HEXFET Power MOSFET
• 3页
• 50K

• 1896
• IRG4BC10K
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• 8页
• 158K

• 1897
• IRG4BC10KD
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 210K

• 1898
• IRG4BC10S
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• 8页
• 157K

• 1899
• IRG4BC10UD
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 184K

• 1900
• IRG4BC15MD
• International Rectifier Corp.
• Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
• 10页
• 256K