2月26日消息，全球第二大 NAND 闪存制造厂铠侠 (Kioxia，原本的东芝内存)在日本三重县四日市市举行全新厂房 (Fab7) 的动工仪式。未来将导入全新的生产设备，以生产新一代采用 162 层堆栈技术的内存芯片。

设备投资总额估计达 1 兆日元规模，最快在 2022 年投产 3D NAND 闪存。

铠侠在四日市工厂兴建全新厂房 Fab7，主要目的是为了增产第六代的 3D NAND 闪存「BiCS FLASH」。

在设备投资方面，铠侠的合作伙伴美国威腾电子也有共同参与，厂房建设则是分成前后两期实施，

采用 162 层堆栈技术的 3DNAND 闪存，与现有 112 层堆栈技术的产品相比，数据写入速度可提升至 2.4 倍、芯片尺寸也缩小 4 成。由于当前 5G 通讯普及，铠侠看好数据量将大幅增加，要在数据中心及智能型手机的相关需求方面开拓市场。

此外，铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂旁，也取得约 13.6 万平方公尺的工厂用地。计划在 2021 年的春天动工，目标 2022 年的春天完工。未来要在增产投资的体制方面做好准备，以配合需求量的增加来进行机动性调整。