第三代半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。碳化硅衬底位于第三代半导体产业链的最上游，是制造通信射频芯片、高端电力电子器件（如MOSFET、IGBT等）的核心材料，下游产品广泛应用在5G基站、新能源汽车、高速铁路、新型电网中，技术长期被国外企业垄断和禁运。

自2012年成立以来，同光晶体致力于第三代半导体碳化硅单晶衬底制备技术的自主研发与创新，已建成粉料合成、晶体生长、切割加工、晶体检测的完整产线，年产4-6英寸碳化硅衬底数万片，是国际上少数同时掌握高纯半绝缘衬底和导电型衬底制备技术的企业。

同光晶体多年来连续承担国家“863”计划、国家重点研发计划、国家技术改造工程、河北省重点研发计划等各级科研课题、项目二十余项，与北京大学、清华大学等多所知名高校成立联合实验室，并建有院士工作站，引进多位半导体领域知名院士指导公司技术创新方向。

同光晶体将高品质碳化硅单晶衬底成功应用到我国5G基站建设中，打破了行业壁垒，加速实现国产替代。公司的4英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造高端射频芯片，其各项技术指标均达到国际先进水平；在导电型衬底方面，同光晶体取得工程化关键技术突破，其6英寸产品满足电力电子器件的各方面技术要求，已具备批量生产条件，并在知名客户处形成应用。