11月6日消息，记者获悉，江苏微导纳米科技股份有限公司喜获来自某先进半导体芯片制造企业的首个订单，即将交付首台用于先进技术节点的原子层沉积（ALD）量产设备。
该产品聚焦全球IC制造市场，为逻辑、存储等超大集成电路制造提供关键工艺技术和解决方案。尤其是在国内尖端半导体芯片制造方面，产品技术可覆盖45纳米到5纳米以下技术节点所必需的高介电常数栅氧层ALD工艺需求，填补了该领域无国产设备的空白。
2020年，作为国内尖端微纳制造核心装备企业，微导迎来了一个新的重要里程碑：再一次突破技术“无人区”，自主研发的凤凰系列ALD薄膜沉积系统成功实现量产化，专用于先进超大集成电路（VLSI）制造所需各类ALD薄膜沉积工艺。当前尖端半导体芯片制造必需采用的极少数ALD设备技术仅对用户提供单一或特定工艺制程。
不同于此，微导通过自主创新，在产品设计性能上力求超越，使该产品具有强大的材料选择功能，可提供包括HfO2，ZrO2，Al2O3，SiO2，Ta2O5，TiO2，La2O3，ZnO，TiN，以及AlN等多种工艺功能。其中可用于FINFET结构栅氧层的高介电常数材料（HfO2）的12寸晶圆工艺已达到片内及片间薄膜厚度均匀性均在1%以内，无可探测的氯、碳杂质含量，工艺性能不仅可满足当前45-14nm技术节点需求，更重要的是该产品可进行10nm乃至5nm以下技术节点的工艺材料升级，为客户提供在尖端芯片设计和制造过程中更多的核心工艺选择性，从而为更好的提升关键制造技术开发和知识产权保护提供重要保障。
微导副董事长、CTO黎微明博士表示，微导推出的ALD设备面向全球市场，将改变长期以来半导体先进制程关键工艺被极少数装备制造商垄断的现状，为尖端半导体制造提供了更多选择，同时对国内的半导体产业链成长具有极大的意义。期待首台ALD设备在客户产线能够以最快速度顺利导入量产，以此为起点和客户一起建立先进制程开发和制造能力。微导还将推出一系列半导体领域ALD技术和装备，用于逻辑、存储、特色工艺、化合物半导体等芯片制造，力争成为ALD技术产业化应用的先行者与领导者。
