先进封装技术已成为半导体行业发展的必然趋势，是未来低功耗、高性能、小型化终端应用的必然选择。9月29日，国创越摩先进封装项目正式开工。副省长吴桂英宣布开工。株洲市领导毛腾飞、阳卫国、何剑波、羊贵平、何朝晖、杨胜跃出席开工仪式。

国创越摩先进封装项目由上海兴橙资本、市国投集团、株洲经开区产投公司及项目创业团队合资建设，项目选址株洲经开区云霞大道旁，规划用地220亩，总投资约26.8亿元，其中一期预计总投资10.62亿元，规划用地面积120亩，计划建设100级、1000级及万级车间共1.28万平米，配套用房4200平米，建设5G射频滤波器晶圆级封装线（WLCSP）和射频前端模块系统级封装线（SiP）各一条，打造包含6吋、8吋晶圆级封装和系统级封装，包含射频滤波器芯片和射频前端模块、其他晶圆级和系统级封装等多种产品，技术先进、产品多元的世界级半导体封装产业基地。

项目预计2022年3月建成投产。投产后可实现5G滤波器国产化封测产线零的突破，同时依托领先的晶圆级封装和系统级封装服务，吸引优质上下游企业集聚株洲，着力将株洲打造成5G射频芯片及模块先进封装供应链中心。项目完全建成达产后，预计可实现年销售收入超40亿元，创造净利润8.78亿元，上缴税收4.17亿元，带动上下游产业链实现产值近百亿元。