据报道，长鑫存储近日表示，成为了国内唯一的DRAM供应商。

　　该报道指出，目前长鑫存储已经完成了合肥Fab 1及研发设施建设，每月生产2万片，并计划在2020年第二季度将产能提高一倍，达到每月4万片。长鑫存储已经利用19nm开始生产LPDDR4、DDR4 8Gbit DRAM系列产品。除此之外，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。长鑫也在建设基础设施，为多达3000名员工及其家人提供保障。

　　进入DRAM市场，长鑫仍面临挑战

　　报道认为，目前中国打入国际DRAM市场的难度颇大，一方面生产经验与专业知识方面的欠缺;另一方面是知识产权积累上存在欠缺。而长鑫存储应对挑战，也从人才、知识产权方面储备，例如从韩国和台湾招募工程师、聘请此前奇梦达技术人员。

　　DRAM 技术其实有沟槽式和堆栈式两种，虽然堆栈式技术的竞争力相对较好，但是由于早期的市场原因，该技术被搁浅。

　　奇梦达的核心是沟槽电容工艺，现在被认为是一种过时的DRAM技术。此前业内人士认为，长鑫使用的是奇梦达的旧技术。然而，长鑫透露，它已经开始使用堆叠电容工艺技术进行生产。

　　背靠奇梦达，能否啃下知识产权“硬骨头”?

　　报道指出，长鑫存储执行副总裁表示，无论是高通、苹果还是台积电，科技公司必然会面临知识产权的问题。因此，在公司内部实施严格的正当程序至关重要。此外，他还透露，WiLAN现在拥有许多奇梦达的专利。WiLAN可能是长鑫正在谈判的公司之一。

　　值得注意的是，12月5日，长鑫存储与WiLAN 联合宣布，就奇梦达开发的 DRAM 专利，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。依据独立的专利采购协议，长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。

　　分析师眼中的长鑫

　　Object Analysis首席分析师Jim Handy认为，长鑫拥有比大多数人预期的中国DRAM制造商更高的专业水平。