据ZDNet今日报道，三星电子宣布，已开始生产业内首批 100 层 V-NAND 闪存。

　　三星电子表示，基于 256Gb的 3-bit V-NAND 闪存将用于企业级 PC SSD ，该公司还透露，250GB的SATA PC SSD已供应给了一家PC制造商，但三星并未揭晓客户名字。

　　三星表示， 100 层 V-NAND 闪存单元只需经过单次蚀刻，同时新产品可兼顾速度、生产率和能源效率三方面，可以算是市场上占据绝对优势的产品。

　　三星还补充说，今年下半年将增加产量，并使用 512Gb 3-bit V-NAND 闪存来生产 SSD 和 eUFS 产品，以满足各种规格的新需求。

　　据三星介绍，其 100 层(第 6 代 )V-NAND 闪存的写入延迟低至 450μs、读取响应时间为 45 μs 。与 90 层 V-NAND 闪存相比，100 层 V-NAND 闪存不仅性能提升了 10%，功耗还降低了 15% 。

　　值得一提的是，新产品生产步骤简化的同时、芯片尺寸缩减了，同时生产效率也提高了20%。

　　展望未来，三星计划在移动和汽车领域部署全新的 V-NAND 闪存，以巩固其在闪存市场的领导地位。

　　报道指出，面对日本对韩国出口半导体材料的管制措施，相比于 SK 海力士下令企业制定应急方案，三星似乎显得并没有那么慌张，而是决定继续在下半年进一步投资生产。

　　但鉴于该公司第二季度营业利润较上年同期减少了一半，其内存业务的利润也因需求下滑而大幅缩减，且日本已将韩国移除“白色清单”，三星的发展路上仍是充满了诸多变量。