据AnandTech报道， 台积电悄悄推出了性能增强的 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 极紫外(N5 / EUV)制造工艺—N7P 和 N5P 。该公司的 N7P 和 N5P 技术专为那些需要运行更快、功耗更低的客户而设计。

　　据了解，尽管 N7P 与 N7 的设计规则相同，但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程，可在相同功率下将性能提升 7%、或在同频下降低 10% 的功耗。

　　在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上，台积电透露该公司客户已经可以使用新工艺，但该公司并未对此技术做大规模宣传。

　　据悉，N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术。与 N7 相比，它没有增加晶体管的密度。也因为这一原因，需要晶体管密度提高18~20%的台积电客户预计将使用N7+和N6工艺。

　　对台积电而言，尽管 N7 和 N6 工艺将是未来几年的“长”节点技术，但台积电下一个密度、功耗和性能显著提高的主要节点将会是N5。

　　同样地，台积电也将推出5nm工艺的增强版本，即 N5P。N5P也将采取FEOL 和 MOL 优化，以便让芯片能够在相同功率下提升 7% 的性能，或在同频下降低 15% 的功耗。