碳化硅(SiC)功率半导体具耐高温、耐高电压、切换速度快，可降低电力传输或转换时能量损耗等优点，已成为节能诉求的太阳能、电动车及充电基础建设、智能电网等领域关注的新兴产品。根据市调机构预估，随厂商大举扩产，未来10年，SiC功率半导体市场规模将大增约10倍。

　　以市场发展动向分析，2018年全球SiC功率半导体市场规模仍未达4亿美元，但在汽车电动化、智能电网、快速充电等趋势推波助澜下，预料SiC功率半导体市场将会有大幅的跃升，2030年全球市场规模有望达到45亿美元以上。

　　DIGITIMES Research副总监黄铭章指出，2019年全球最大的SiC晶圆供应商Cree决定投资10亿美元，大幅扩充包括SiC及氮化镓(GaN)相关产能，预计在2024年将SiC晶圆制造能力提高至30倍，以满足多家厂商对SiC材料的需求，另外，日本厂商也积极投入功率半导体的投资。

　　黄铭章表示，尽管SiC来势汹汹，但由于其成本远高于硅基(Si-based)材料功率半导体，因此未来10年内电动车用功率半导体市场主流仍将是传统硅基材料元件。

　　而根据英飞凌及市场机构资料，从2017年到2023年，碳化硅功率半导体市场应用年复合成长率预测，混合/电动车成长率最高，达81%，其次为电动车充电站/充电桩的58%，航天与军事、太阳能以及不断电系统/电源供应器分别成长23%、14%及10%，整体SiC功率半导体年复合成长率为27%。