东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3D NAND flash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。

    据报导，东芝和WD为了东芝存储(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破脸互告。韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售存储求现，避免因为资本减损(capital impairment)下市，怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。

    相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热存储业务买气。此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。他们表示，东芝在这个时间点放出该讯息相当可疑。

    报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考量到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到全面量产再说。文章力挺三星，指出就算堆叠层数相同，视各家公司技术和制造方法不同，表现仍有差异，因此堆叠层数变多，不能保证效能一定变好。

    东芝明年量产96层3D NAND，QLC产品8月送样

    全球第2大NAND型快闪存储厂东芝（Toshiba）28日宣布，已携手SanDisk研发出全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠96层的3D NAND试作品为256Gb（32GB）、采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板电脑和记忆卡等市场。

    据悉，该款产品将利用其位于日本的合资制造工厂四日市工厂“Fab 5生产线”、“新第2厂房”以及预计2018年夏天完成第1期工程的“Fab 6生产线”进行生产。西部数据强调其位于日本的合资制造工厂业务持续表现强劲，预计2017年公司整体3D NAND供货量，将有75%以上来自64层3D NAND（BICS3）技术的产品组合。而2017年西部数据与其合作伙伴东芝生产的64层3D NAND总产量，将远高于业界任何一家供应商。

    东芝今后也计划推出采用堆叠96层制程技术的512Gb（64GB）3D NAND产品以及采用全球首见的4bit/cell（QLC=Quad-Level Cell）技术的3DNAND产品。

    西部数据存储器技术执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们成功开发出业界首创的96层3D NAND技术，验证西部数据在技术蓝图研发的执行能力。BiCS4可采用3-bits-per-cell与4-bits-per-cell两种架构，同时具备多种技术和制造方面的创新，以具吸引力的成本提供顾客最高的3DNAND储存容量、效能与可靠度。西部数据的3D NAND产品组合是专为各种终端市场所设计，范围涵盖消费者、移动装置、运算装置和数据中心。”

    东芝目前已量产堆叠64层的3D NAND产品，而和64层产品相比，96层3D NAND每单位面积的记忆容量扩大至约1.4倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每bit成本也下滑。

    东芝并于28日宣布，已试做出全球首见、采用4bit/cell（QLC）技术的3D NAND产品，且已完成基本动作及基本性能的确认。该款QLC试作品为采用堆叠64层制程技术，实现业界最大容量的768Gb（96GB）产品，已于6月上旬提供给SSD厂、控制器厂进行研发使用。

    东芝表示，堆叠16片768Gb芯片，实现业界最大容量1.5TB的QLC技术产品预计于2017年8月送样，且该款1.5TB产品将在8月7-10日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。