三星电子不只备战6纳米，还打算在2020年进入4纳米?韩国消息称，三星砸下10亿美元投资美国德州奥斯汀厂，替制程微缩备战。
韩媒The Investor 27日报导，本月三星电子将斥资10亿美元投资德州奥斯汀厂，该厂房负责制造用于移动设备的系统单芯片(SoC)等。PhoneArena消息显示，奥斯汀厂是苹果A系列处理器的重要生产基地。
三星同时公布了晶圆代工的发展路径，当前主力为第二代10纳米Fin FET，今年准备进一步研发8纳米，2018年进入7纳米，2020年转入4纳米。三星认为第四波工业革命即将到来，届时物联网应用将遍地开花，高效能芯片需求倍增，因此提前做好准备。
在此之前已有消息称，三星将跳级研发6纳米制程，预定2019年量产。
据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星恨得牙痒痒，打算直攻6纳米制程扳回一城。
韩媒etnews 27日报导，台积电花最少精力研发10纳米，跳级直取7纳米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从10纳米，直攻6纳米制程，目标2019年量产。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在6纳米，今年将装设两台艾司摩尔(ASML)极紫外光(EUV)微影设备“NXE3400B”，明年还会装设7台。
韩媒Investor引述etnews报导，业界人士表示，尽管三星晶圆代工部门痛失高通订单，但是由于台积7纳米制程更省电、表现更好，三星移动通讯部门应该会使用次代高通处理器。由此看来，明年Galaxy S9旗舰机也许会和今年的S8一样，继续并用高通芯片和三星自家的Exynos处理器。
MoneyDJ新闻5月10日报导，据了解，台积电10纳米制程今年已成功量产，7纳米于今年初完成技术验证，第二季进入试产阶段，预计明(2018)年进入量产;后(2019)年则预计推出采用部分EUV制程的7+纳米并导入量产，至于5纳米目前已开始进行研发，预计2019年上半年可进入试产。
