如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高，迫使厂商们不得不持续改进技术，尤其是强化3D堆叠设计。SK海力士就计划在今年量产72层堆叠闪存。

    2015年，SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2)，单晶粒容量128Gb(16GB)。

    2016年，SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3，闪存类型改成TLC，重点单晶粒容量256Gb(32GB)，而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。

    2017年，我们将看到SK海力士的第四代3D-V4，惊人的72层堆叠，还是TLC，其中第二季度量产的单晶粒容量仍为256Gb，而第四季度翻番到512Gb(64GB)，这样封装闪存芯片的最高容量将达到8192Gb(1TB)。

    更重要的是，这一代闪存的区块尺寸将从9MB增大到13.5MB，有助于提升性能。

    这意味着，其实只需要两颗芯片，就能造出2TB容量的单面M.2SSD，而且成本更低，另一方面120/128GB等低容量产品可能会被基本放弃。