据台湾媒体Digitimes报道，近日台积电在一次内部会议上公开了一份工艺的线路图。台积电10nm制程工艺的芯片将在今年年底投入量产，而7nm制程工艺芯片最早会在明年4月进行试产。对于台积电来说，7nm制程工艺的生产时间要比其他竞争对手早很多，据说英特尔的第一款7nm芯片要等到2022年。
 
    据知情人士透露，10nm工艺的芯片面积将比目前的16FF+减小50%，但性能提升50%，耗电减少40%。而7nm制程工艺芯片的晶体管密度将提升163%.有业内人士预计在1V电压下，CPU的时钟频率就能冲到3.8GHz，同时温度上限提升至150度。

    台积电在七月份的时候举行了说明会，董事长张忠谋针对研发支出及先进制程挑战目标，提出更详细说明。另外，台积电方面表示，相关人才招募行动已趁近期毕业生投入职场，积极进行中。另外，为了进一步推动10nm和7nm先进制程的研发进度，台积电将新招募约3000名研发人员，将现有的研发团队人员数量扩充至近万人规模。

    消息称，台积电往年研发支出占年度营收约8%，今年研发支出将再增5%-10%，预计2016年度研发支出将达到720亿元，远超去年的655亿元，更是七年前的六倍之多，这一数字也将刷新台积电研发支出的历史记录。此外，台积电还将在2017年继续增加研发支出，预计会达到900亿元规模。台积电如此大规模投资，主要用来扩大10nm及7nm先进制程研发。