近日，中芯国际与大唐电信科技产业集团旗下的联芯科技共同发布消息，中芯国际的28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程成功流片;而基于此平台，联芯科技将推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括应用处理器和移动基带功能。这一消息不仅表明中国半导体在28纳米工艺技术上取得新突破，同时还意味着在市场与产业层面也取得实质性的进展。
 
    HKMG工艺难度更高

    中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示：“继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后，我们的28纳米HKMG工艺也获得了终端客户的认可，商用在即。我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善，预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本，为客户提供更多优化的制程选择。”

    赛迪顾问研究资料显示，28纳米主要包括两条工艺路线：多晶硅(PolySiON)和高介电常数金属闸极(HKMG)。两者各具特点，其中PolySiON工艺路线成本低、工艺简单、适合于对性能要求不高的手机和移动备;HKMG工艺路线的漏电量大幅减小、晶体管关键尺寸降低、对于降低产品功耗，提升性能有重要帮助。根据半导体专家莫大康的介绍：“HKMG的工艺比PloySiON难度更高。”中芯国际在推出中PolySiON平台之后，又快速推出了HKMG，表明在工艺技术上正是快速成熟，意义重大。

    将与国内产业需求更好配合

    更值得关注的是，此次中芯国际的HKMG工艺平台是与联芯科技共同推出的。对此，芯谋咨询首席分析师顾文军指出：“与PolySiON是和高通首先推出不同，中芯国际此次是在和国内客户配合下，推出HKMG这个先进制程的。”相对来说，国内IC公司的设计经验逊于高通等国际领先公司。此次中芯国际能和国内客户共同研发出先进工艺，除表明中芯国际在28纳米工艺上正迅速成熟之外，更表示它将可以快速与国内产业需求相配合，相对接。28纳米工艺将在产业层面取得实质性的进展。

    大唐电信科技产业集团通过参股中芯国际，很早就开始在芯片制造领域展开布局。集团旗下大唐电信科技股份有限公司董事长曹斌此前接受《中国电子报》记者采访时就曾指出，未来公司将积极与中芯国际等半导体制造企业合作，推进“4G+28nm”工程，打通集成电路设计和制造产业关键环节。通过“4G+28nm”等项目深入推进公司在智能终端芯片、安全芯片等集成电路设计高端领域的核心竞争力。本次合作正是对大唐电信科技产业集团前期产业规划的一个成功实现。