网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 新品发布 > 正文
  • RSS
  • Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗
    http://www.ic72.com 发布时间:2015/12/16 14:00:58

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。

      两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。DMP1022UFDF在-2.5V栅极驱动下的导通电阻少于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导通电阻则少于26mΩ。以MOSFET作为高侧负载开关来关断闲置处理器核心和其它非活跃电路,能有效延长电池寿命。
      新产品采用了占位面积仅4mm2的小型DFN2020封装,离板高度只有0.6mm,同样非常适合对空间要求严格的应用。这款封装还具有带散热漏极焊盘,其低于10°C/W的结点至焊盘热阻提供散热功能,从而降低裸片温度并提升器件可靠性。
      DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一万个为出货批量。

     


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质