Memory产业格局巨变。紫光股份间接注入闪迪和同方国芯800亿元定增募投Memory产业。两次运作后,紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能,未来再有望进入DRAM领域,国内Memory产业格局发生巨变。
　　中国切入Memory优势有三。优势一,进口替代空间大,成长性好。2014年国内Memory规模520亿美元, 自给率几乎为0。同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率5.5%和11.0%,高于半导体行业平均增速4.6%。优势二,切入 Memory门槛低,主要来自标准化(下游转换成本低)、制程要求低(避开中国软肋)、设计难度低。优势三,国内产业政策扶持和国内制造优势。

　　第一步NANDFlash,第二步DRAM。国内切入Memory领域分两步走,第一步进入NANDFlash领域,15-18年全球复合增长 20%,2018年中国市场容量180亿美元,并有望有3DNAND实现弯道超车。第二步有望进入DRAM领域,15-18年复合增长 12.1%,2018年中国市场容量210亿美元。不过产业巨头在扩产和提高技术进入门槛,有意减缓中国进入脚步。
　　行业给予“推荐”评级。Memory肩负中国集成电路在2015-2020阶段自给率从10%提升至40%的历史使命,在产业转移和政策支持的背景下,未来行业性的投资机会将持续。其中上游看好上海新阳、中环股份、七星电子,中游看好同方国芯,下游看好太极实业和长电科技。