市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange观察指出，受到市况供过于求影响，DRAM平均销售单价持续下降，然而各家厂商策略性地将跌幅最大的标准型记忆体产能转往毛利较高、价格较稳定的伺服器记忆体及行动式记忆体领域，配合位元颗粒仍持续成长，整体DRAM营收规模尚未出现大幅的缩减。

　　DRAMeXchange最新报告显示，第三季DRAM总产值小幅衰退1.2%，行动式记忆体占总营收比重从第二季的 33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第四季由于智慧型手机出货量持续成长，行动式记忆体在整体DRAM 比重将随之攀升。然而后续淡季再度来临，加上位元产出因20/21nm提升，供过于求加剧无可避免，未来DRAM价格将持续走跌。

　　第三季两大韩厂的营业获利率基本持平，三星(Samsung)维持47%，SK海力士(Hynix)约为36%。美光(Micron)则产生较明显下滑，由第二季的21%下滑至第三季的约15%。市占方面三星仍处领先地位，约47%，SK海力士约28%，美光则约19%。

　　吴雅婷表示，三星第三季20nm产出除了在标准型记忆体及伺服器记忆体外，率先出货20nm为基础的LPDDR4，在现今跌价的市场中保有成本优化的优势。 SK海力士最先进制程21nm处于送样阶段，预计在明年第一、第二季大量出货，贡献整体产出。美光20nm产品目前在伺服器记忆体领域小量出货，标准型记忆体验证正逐步执行当中，为三大厂中制程转换最落后者。