作为世界一大固态硬盘制造商，三星将要在接下来的新品更新期中放大招了。

    根据Engadget的报道，三星计划在旗下的SSD新产品中用上3-BitMLC以及与TLCV-NAND一样为人所熟知的3D垂直V-NAND闪存技术。

    在此之前，三星的V-NAND技术已经能够量产并且应用到自家的旗舰系列850Pro固态硬盘上，同时这种技术也号称有着十年的生命期。

    而今天谈到的3bitV-NAND闪存，利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128GB，

    并且这种技术在最近推出的850EVO已经开始投入量产了，

    相信今后出现更大容量、价格更实惠的固态硬盘将不再是无止境的等待。

    对于渴望固态硬盘带来的高速快感，但是却因容量需求和价格被迫选择老式硬盘的用户，这必定是一个好消息。