最新的1/3英寸100万像素背照式(BSI)CMOS图像传感器

    显著改善微光信噪比、可见光灵敏度和红外性能

    2015年7月13日—推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，正扩展受高度评价的1/3英寸100万像素(MP)图像传感器产品阵容，推出以公司首款背照式(BSI)传感器技术的早期样品用于汽车成像市场。相较当前领先市场用于先进驾驶辅助系统(ADAS)的AR0132ATCMOS图像传感器，该创新的新的BSI传感器技术提供好4倍的微光信噪比，增加40%的可见光灵敏度，和提升超过60%的近红外(NIR)性能。

    安森美半导体汽车和扫描分部副总裁SandorBarna说：“这新的BSI技术带给汽车市场的优势是令人兴奋的。基于此技术的最先进的BSI器件，我们是提供早期样品阶段，它具备真正领先业界的微光性能，彰显我们持续投资于汽车成像技术的承诺。”

    首款采用这新技术的产品将是AR0136AT1/3英寸光学制式CMOS数字图像传感器，提供1280x960的分辨率和3.75微米BSI像素(p)。AR0136AT支持线性和高动态范围(HDR)模式，是一个单芯片HDR方案，在HDR模式下具有120分贝(dB)动态范围。它的输出像素率为74.25MP/秒(最大值)，由此产生的帧率为在960p分辨率时的45帧每秒(fps)和在720p分辨率时的60帧每秒。它的工作结温范围是-40°C至125°C，并完全符合AEC-Q100。工程样品将于2015年第三季度提供，计划于2016年初量产。

    图：AR0136AT1/3英寸光学制式CMOS数字图像传感器

    关于安森美半导体

    安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源和信号管理、逻辑、标准及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗及军事/航空应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。