联电 14纳米先进制程生态系统成军，ARM及新思(Synopsys)均助阵，加入联电14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)合作夥伴。联电表示，14纳米已有128Mb SRAM产品良率产生，预定今年底接受客户设计定案(tape out)，明年底试产。

　　联电虽在先进制程落后台积电，但推进到14纳米制程，包括相关矽智财等生态体系逐步成形，联电昨天与ARM 和新思同步宣布共同拓展成为14纳米FinFET的合作夥伴。
 
　　联电宣布，以ARM Cortex-A系列处理器为核心架构的核心测试芯片(PQV)已透过联电的14纳米完成设计定案，代表ARM Cortex-A 系列处理器核心通过联电高端制程验证。

　　联电表示，与ARM 在14纳米的合作案，是延续自双方成功将ARM Artisan实体IP整合至联电28纳米高介电金属闸极(HKMG)制程。
 
　　联电强调完成14纳米FinFET制程技术验证，是联电启动其他IP 生态系统的第一步，包括基础IP矽智财(foundation IP)和ARM 处理器实体设计。

　　联电也表示，第二个14纳米PQV测试芯片将纳入新思DesignWare嵌入式记忆体IP，与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。

　　透过新思的合作，可让联电微调14纳米FinFET制程，实现最佳化的功耗，效能与位面积表现，展现联电加速推动14 FinFET的决心。