美国防务顾问洛伦·汤普森曾表示：“氮化镓(GaN)材料虽不为人注意、但具有革命性的进展。它被人们称为自硅材料应用以来，半导体材料领域最伟大的发明”。在第三代半导体材料中，氮化镓与碳化硅长期以来平分秋色，不分伯仲。然而，在发光二极管及晶体管等盛行的风潮下，氮化镓近年来表现出更为生猛的发展势头。

　　除去生产成本比其竞争对手硅低之外，氮化镓在具体应用上也优势颇多。首先，在晶体管应用中，氮化镓晶体管可以比之前任何晶体管快地切换更高电压和更大电流，由此带动一些新的应用;氮化镓场效应晶体管可以分立晶体管和单片半桥的形式来供应，其性能比目前最好的商用硅MOSFET好10倍。

　　其次，在发光二极管应用中，氮化镓在LED照明产业取得重大突破，极大地带动了金属镓的消费;此外，目前常用的蓝宝石或碳化硅衬底LED晶片存在很大缺陷，如果采用氮化镓晶片作为衬底，不但可以有效解决发光时的散热问题，还能使单位面积亮度提升10倍。2014年诺贝尔物理学奖得主中村修二指出，GaN on GaN LED技术将在不远的将来取代现有的第一代LED技术成为LED发展的主流，而氮化镓衬底将成为LED行业最终选择的衬底。CMIC认为，照此发展趋势，氮化镓未来在半导体照明产业中的发展前途将不可限量。

　　氮化镓被誉为半导体产业的未来并非空穴来风。外太空环境中，氮化镓技术可被应用到卫星并缩小电子设备的尺寸，大幅改善其性能;无线电力传输系统中，氮化镓技术能以无线方式提供能量，为手机和平板电脑充电，未来遍布墙壁的电插座或许会被淘汰;医疗领域，氮化镓可以深入植入系统、成像及人造器官等多个细分系统，改善医疗技术，降低医疗费用……

　　根据市场调研报告，从2014年至2022年的8年内，整个氮化镓半导体市场预计将以22.2%的复合年成长率强劲成长，全球功率半导体组件市场的复合年成长率更将成长超过60.5%。可以预见，在良好的市场环境下，氮化镓材料大发展指日可待。