中国，2014年12月17日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、功率芯片大厂意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车(PHEV,Plug-inHybrids)等新能源汽车对车载充电器(OBC,on-boardbatterychargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。

    这些二极管让设计人员能够研发更小的电源模块，这不仅对汽车电源系统有益，还使其成为克服Google和IEEE提出的逆变器小型化挑战的关键选择。Google出资高达100万美元奖金征集比现有逆变器的十分之一还小，且适合各种应用领域，特别是太阳能微型发电机(solarmicro-generator)的千瓦级逆变器设计；意法半导体是这项公开挑战赛的合作厂商。

    新款二极管采用先进技术，防止大脉冲电流(high-currentspikes)烧毁装置。为了安全起见，设计人员至今还在超额使用二极管。意法半导体开发的新产品彻底改变了这一局面，过流保护值是额定电流值的2.5倍，因此设计人员可选用更小、更经济且可靠性和能效都不会受到影响的电流更小的二极管。

    意法半导体的新碳化硅二极管通过汽车级产品测试，极性接反击穿电压提高到650V，能够满足设计人员和汽车厂商希望降低电压补偿系数(voltagederatingfactor)的要求，以确保车载充电半导体元器件的标称电压与瞬间峰压(peakvoltage)之间有充足的安全裕度(safetymargin)。

    碳化硅作为宽带隙(WBG,WideBand-Gap)技术，具有众所周知的能效优势；相对于元器件本身的尺寸，比较开关损耗(switchingloss)和额定电压(voltagerating)两项参数，新产品均优于传统硅二极管。这次推出的650V二极管包括TO-220AC功率封装的10ASTPSC10H065DY和TO-220AC封装的12ASTPSC12H065DY。此外，TO-220AB封装的STPSC20H065CTY和TO-247封装的STPSC20H065CWY是内置2个10A二极管的双管产品(dual-diode)，可最大限度提升空间利用率，降低车载充电器的重量。