东芝旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低[1]，为VDD(opr) = 5至18V。出货即日起启动。

　　新产品主要规格

　　1.BiCD 0.13μm工艺

　　2.供电电压：VDD(opr)=5至18V

　　3.内置过流保护功能

　　4.内置过流诊断功能

　　5.输出电压

　　VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

　　VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

　　6.小型封装

　　PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

　　应用

　　适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。