三星电子10月8日宣布推出全新近场通信(NFC)芯片S3FWRN5，以小型封装实现强大射频(RF)性能。相比上一代产品S3FNRN3，新推出的S3FWRN5芯片的RF性能得到显著提高，阅读器和卡仿真模式的RF连接距离延长了一倍。

　　三星电子系统LSI业务营销副总裁洪奎植表示：“随着每一代新手机等移动设备的推出，设计人员都会绞尽脑汁地开发一款能让消费者更加紧密联系，并为他们的生活带来更多便利的产品。为了帮助设计人员实现这些目标并且成功开发出为我们带来更多惊喜的移动设备，三星将会不断推出更多先进的NFC技术解决方案。”

　　新款芯片的封装大小仅为2.4mm x 2.4mm，是业内NFC单卡的最小尺寸，便于移动设备设计人员实现更灵活更高效的印制电路板(PCB)布局。此外，芯片的引脚兼容性，使该产品既可以作为NFC单卡，也可以作为配备嵌入式安全元件(eSE)的NFC系统级封装(SiP)使用，为手机制造商提供了更多便利。

　　S3FWRN5芯片是业界首款采用45纳米工艺的嵌入式闪存NFC芯片，可以通过简单安全的固件升级改进产品，无须另行重新设计芯片架构。在需要添加新功能时，可通过固件升级对嵌入式闪存进行简单修改，与基于只读存储器(ROM)的解决方案相比，能帮助手机制造商缩短开发时间。

　　采用三星低功耗传感(LPS)技术的S3FWRN5芯片，通过新型优化算法，能以最低功耗水平感应信号。这项技术能把NFC芯片在持续发送信号以识别其他NFC设备或标签时的能耗降到最低。与三星的上一代NFC产品相比，采用低功耗传感技术的新型芯片功耗降低了25%。

　　凭借其卓越的RF性能，全新NFC解决方案已经在全球范围内获得包括EMV标准(Europay, MasterCard和Visa共同发起制定的技术标准)、中国银联，中国移动和NFC论坛(NFC Forum)等权威机构颁发的认证，可与全球各种非接触式NFC阅读器和标签协同使用。

　　该款45纳米嵌入式内存(e-Flash)NFC芯片已于2014年下半年投入量产，并获得了三星最新旗舰智能手机Galaxy Note 4的青睐。三星将继续在全球市场上推广这款NFC解决方案的应用。