英飞凌(Infineon)于2013年的全球功率半导体市场持续取得领先，蝉联龙头地位，同时在金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)功率电晶体市场首次取得领先。根据市调机构IHS的研究报告指出，英飞凌以12.3%的市占率连续11年夺得第一。

    英飞凌执行长Dr.ReinhardPloss表示，事实证明英飞凌的策略正确，从产品导向的思维模式迈向系统级别的观点，并提供最适合客户的产品，帮助他们获得成功。这点由英飞凌在MOSFET功率电晶体领域的持续成长便可看出。

    2013年全球功率半导体市场缩减0.3%，约为154亿美元。尽管大环境情况不佳，英飞凌市占率仍达到12.3%，较前一年成长了0.9%。另一方面，在MOSFET功率电晶体的市场区块，该公司市占率成长了1.6%达到13.6%，首度成为此市场区块的最大供应商。同时，英飞凌也在分离式逆导绝缘闸双极性电晶体(IGBT)功率电晶体与IGBT模组的子市场市占率，分别位居第一、二名。

    功率半导体可依据不同领域的应用，以分离式、模组化或组装堆叠的组态供应，控制与转换数瓦特到数百万瓦特的电力；而功率电晶体则是体积非常精巧的开关，是节能电源供应器的必要元件。