静态随机存取存储器（SRAM）市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL (More Battery Life，更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。

    背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误率（SER）性能，错误率仅有0.1 FIT/Mb（1个FIT相当于器件每工作十亿小时发生一个错误）。 这些新器件与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。16Mb MoBL异步SRAM还具有可选的错误指示信号，可指示单位（Single-Bit）错误的发生和校正。

    赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“自从我们去年推出带ECC的快速SRAM以来，客户反响非常强烈。在这一系列中增加MoBL器件，可使更多的应用受益于我们的片上ECC技术。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技术，更好地为客户服务，巩固我们毫无争议的市场领导地位。”

    赛普拉斯的16Mb MoBL异步SRAM具有业界标准的x8, x16和x32配置。器件具有多种工作电压（1.8V，3V和5V），工作温度范围为-40℃至+85℃（工业级）和-40℃至+125℃（汽车级）。

    供货情况

    这些全新SRAM目前已有工业温度范围的样片，预计2014年11月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、119-ball BGA方式封装。