6月4日中午消息，日本东芝公司昨日宣布，已在台湾法院控告力晶科技、智旺科技、力积电子与瑄誉科技(C.T.C)，指控四家台湾公司侵害东芝NAND闪存专利。力晶表示，目前已收到相关文件，闪存相关业务占力晶业务比重低，对公司营运影响不大。

    东芝目前要求新台币1亿元赔偿金，并计划日后提高索赔金额。东芝也要求被告停止销售和制造被控侵权的产品。东芝在1987年发明NAND闪存，是目前全球主要制造商之一。NAND闪存广泛用于智能手机。

    东芝表示，已在台湾的知识产权法院提出控诉，控告力晶等四家公司侵害东芝台湾编号154717和I238412的NAND闪存专利。东芝向法院申请被告禁止制造涉及侵权的NAND闪存产品，包括料号A5U2GA31BTS-BC等，并且寻求赔偿金。

    东芝指出，力晶和其他三家公司未取得授权，就使用东芝专利所涵盖的技术来供应NAND闪存。东芝先前已通知力晶，但对方置之不理，因此“除了诉诸法律行动别无他途”。

    今年3月，东芝也对韩国SK海力士公司提出诉讼，指控其疑似非法取得东芝的NAND闪存技术，并寻求损害赔偿。日本与韩国公司互控侵权的例子屡见不鲜，但东芝对力晶提起专利诉讼倒是头一遭。力晶指出，该公司于2006年向瑞萨买断AG－AND相关闪存技术授权，并依此进一步自行开发技术，所以技术来源并非是东芝，对自家的技术也有把握。