静态随机存取存储器（SRAM）市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb快速异步SRAM已开始出样。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该器件可确保工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费电子和汽车等应用领域里的数据安全。

    背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误（SER）性能。 16Mb快速异步SRAM的存取时间可达到10-ns，而且与目前的异步SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。

    赛普拉斯还推出了一款新的快速异步SRAM，其PowerSnooze功能结合了快速异步SRAM10-ns的存取时间和与MoBL系列相当的超低待机功耗。PowerSnooze是一种额外的深度睡眠节能模式，对于16Mb的SRAM来说，其典型深睡眠电流可低至12μA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。

    赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“赛普拉斯是世界上无可争议的异步SRAM领导者，拥有超过30年的开发经验和业界最宽的产品线。我们具有ECC功能的新型16Mb 异步SRAM是可靠的单片存储解决方案，可用于高速和低功耗应用。我们具有ECC功能的SRAM品种还会增加。”

    赛普拉斯的16Mb异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压（1.8V， 3V和5V），工作温度范围为-40℃至 +85℃（工业级）和-40℃至+125℃（汽车级）。

    供货情况

    全新16Mb快速SRAM和具有PowerSnooze 功能的16Mb快速SRAM目前已有样片，预计2014年7月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封装。