模拟和混合信号半导体领域的领先供应商升特公司日前宣布，其利用IBM的32nm SOI技术开发的64GSPS ADC和DAC初级核现已上市，可用于高性能片上系统（SoC）集成解决方案。此类器件可用于包括光通信、雷达和电子战系统在内的先进通信系统；基于低功耗、小面积区域的大瞬时带宽，此类超高速数据转换器可使操作过程更加灵活，实现并行多波段/多波束运行，并可提供极高的动态性能，使之成为高度过采样系统的理想选择。32nm数据转换器核是升特公司数据转换器核产品规划中的首个产品，该规划还包括用于14nm FinFET的数据转换器核系列产品，有望于2015年底上市。

    升特公司首席系统架构师Craig Hornbuckle表示：“我们认为，利用IBM公司32nm SOI工艺及其独特功能集开发出的先进ADC和DAC核足以应对下一步高性能通信系统（如：400 Gb/s光系统和先进雷达系统）发展带来的挑战。同时，我们看到，现有射频通信市场中出现的扩展应用：高速数字逻辑电路正在替换那些传统的灵活性差的模拟电路。”

    ADC核的面积为4 mm2，DAC核的面积为2.2 mm2。此类器件中包含一个宽调谐毫米波合成器，可

    以使ADC核或DAC核调整每个通道的采样速率从42 GS/s 到68 GS/s，并保持45飞秒均方根抖动

    值。一个完整的双通道2x64 GS/s ADC核每秒可产生1280亿次模数转换，总功耗为2.1瓦，而双通

    道DAC核功耗为1.7瓦。此类器件可实现5.8有效位数，高达10 GHz及大于43 dB的SFDR。此外，此类器件具有必要的BIST 和校准功能，因此用户无需再进行复杂的生产测试或任务模式校准运算。