国际DRAM颗粒现货价格今日出现暴涨，据业内人士介绍，主要原因是海力士半导体位于江苏无锡的工厂发生大火，导致市场担心未来供应短缺。

    9月5日最新数据显示，国际DRAM内存颗粒现货价格今日出现暴涨，并带动闪存价格出现上涨。

    集邦科技旗下专业网站显示，DDR3 2Gb 256Mx8 eTT规格内存颗粒今日报价已达到1.698美元，上涨幅度为17.84%；DDR3 2Gb 256Mx8 1333 MHz规格内存颗粒上涨幅度高达19%；DDR3 2Gb 256Mx8 1600MHz规格上涨幅度更是达到19.33%。内存颗粒的上涨亦带动了闪存颗粒价格上涨。

    此次海力士大火使DRAM价格的上涨更趋白热化。供应方面，伴随着2008年后价格的持续下跌，奇梦达、尔必达等DRAM大厂陆续破产，近两年来市场份额已经进一步向三星和海力士集中，预计2014年DRAM晶圆产能将衰退，在DRAM18寸晶圆厂新建之前，12寸都不会有新增的晶圆产能。而在需求方面，伴随着智能手机的大幅度增长，移动DRAM的需求亦拉动非PC领域的DRAM需求大增。

    据统计，海力士无锡工厂拥有15 万片/月的DRAM芯片制造产能，约占全球PC内存供应量的13%、手机等移动终端内存供应量的7%左右，如果因大火导致工厂全面停工超过一个月以上，则可能引发全球内存市场供货严重紧张。从今天现货价格的大幅上涨来看，海力士的工厂全面复工或许要等一段时间，作为无锡工厂供应商的海太半导体在出货量上或有减少，但好在海力士承诺给予海太半导体每年3500万至4000万美元的息税前利润保障。

    目前，A股公司中长城开发拥有生产内存的完善的SMT，测试，组装等工艺流程，已经成为金士顿亚太地区EMS厂商之一，目前产量占金士顿总产量的近50%，并且已经通过金士顿三个主要客户惠普(21.74, -0.33, -1.50%)、戴尔(13.85, 0.00, 0.00%)、宏基的直接认证。朗科科技则以数据存储为核心，拥有闪存盘、闪存应用及移动存储领域多项基础性及核心发明专利。