FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。
FinFET这样创新设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以FinFET生产应用处理器的技术，成为了业内厂商大力竞争的新着力点。
电晶体结构发展趋势是越来越小，保证高效便宜的半导体晶片被研发。但是随着电晶体在空间上的线性微缩逐渐达到极限，各种问题和挑战也就显现出来，尤其是通道闸极控制效果降低、漏电流增加、短通道效应出现等问题。这些问题会带来严重的后果，如电晶体不当关闭、电子装置待机耗电量增加等。这对于目前的半导体产业和电子产业来说，无疑是无法满足需求的。
而鳍式电晶体（FinFET）技术正是在这样的状况下应运而生，能够通过三层闸极来有效压制关闭状态漏电流，解决上述问题。FinFET技术能够通过驱动电流转化为低功耗和高效能，而且晶粒尺寸也被缩小。FinFET技术对移动设备的来说也变得日益重要。自2011年英特尔推出商业化的22纳米节点工艺的FinFET,目前FinFET已经在向20纳米节点和14纳米节点推进发展，并带动整个半导体制造技术与产业的发展。
