三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌，今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头，3D堆叠已经成了潮流，处理器、内存什么的都要堆起来。

    三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB)，内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。

    三星称，这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且写入性能也可达到1xnm NAND闪存的两倍。Tb(128GB)级别的闪存芯片指日可待。

    早在2006年，三星就研发了CTF技术。在这种结构的NAND闪存中，电荷被临时存放在氮化硅(SiN)材料制成的非导电层上，而不是用浮动栅极阻断相邻单元的干扰。现在，三星又成功把这种结构推向了三维层面。

    此外，三星自己研发的垂直互连工艺可以将最多24个单元层堆叠在一起，并且使用特殊的蚀刻技术从最高层到最底层打孔，实现各个层的电子互连。

    三星还骄傲地披露，经过十多年的研发，他们已经在3D存储技术上拥有300多项专利。

    三星的V-NAND闪存广泛适用于消费电子和企业级应用，包括嵌入式NAND存储、固态硬盘。