目前市面上绝大部分平板和智能手机都采用了ARM芯片，而这种处理器也随着台积电(TSMC)、格罗方德(GlobalFoundries)等的工艺进步 以及人们对性能的追求预计在时钟频率方面会达到3Ghz。预计明年，台积电和格罗方德都会开始向市场推3Ghz主频的芯片，实际面向手机生产商的产品则在高通骁 龙系列芯片中得以实施。

    目 前ARM架构的芯片中，主频最高的是高通的Krait 400结构，也就是高通骁龙800处理器，达到了2.3Ghz。Krait 400实际上是高通自行设计的芯片结构，部分借鉴了ARM Cortex-A15架构。后者目前在市场上的成品主要有英伟达的Tegra 4和三星Exynos 5。

    为将主频提升至3Ghz，台积电和格罗方德据称将会采用更先进的工艺，由现在的28nm降至20nm。新工艺不仅能让芯片性能表现更佳，而且还能带来更高的效率，每核所耗电量也会控制在合理的范围内。

    这 次ARM芯片速度的提升也将帮助ARM阵营对战Intel Atom的Bay Trail处理器。Bay Trail微架构芯片预计将在未来的不少平板上得以施展拳脚，尤其是Windows 8.1便携设备。Intel近两年在低功耗芯片的研发上也取得了相当不错的成绩，并且性能也表现不凡，ARM需要有所突破势必得做得更出色。