东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并计划于2013年8月投入量产。

    通过优化芯片设计，可将其每单位面积导通电阻(Ron·A)较同类产品1约降低24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%，则可将关断时间(toff)改善约28%。