派更半导体新近推出的高频与高功率系列产品，正在帮助测量设备实现新一轮的升级换代。首先，单刀双掷开关PE42520和PE42521为测量使用的高频CMOS RF开关设定了新的性能标杆(参见图1)。基于派更半导体的Ultra CMOS技术的核心竞争力，它们的工作频率可以高达13GHz，承受+36dBm的高功率，从而可以达到以往常规CMOS难以达到的水平。

    其次，派更半导体推出了PE43704数字步进衰减器(DSA)，该器件可单调工作于8GHz，承受+28dBm的高功率(参见图1)。这种基于UltraCMOS技术的DSA采用了HaRPTM技术，因此在8GHz频率上IIP3线性度可以达到+61dBm。

    图1：派更半导体的单刀双掷射频开关PE42520和PE42521为测量应用的高频CMOS奠定了新的性能标杆。另外，派更导体的PE43704数字步进衰减器可单调工作于8GHz，承受+28dBm的高功率。

    这些理想化的器件满足测量领域中的高频与高功率应用需求，引领自动测试设备市场趋势，比如信号源、频谱分析器和通信测试设备等等。

    “测量仪器内部的射频信号链路上的元件，必须比测量对象的系统具备更高的线性度和性能要求，”派更半导体高性能解决方案事业部副总裁Dave Shepard表示，“PE42520和PE42521开关，以及PE43704 DSA，可以满足这些要求”。派更半导体持续提升产品的性能指标，保持Ultra CMOS核心竞争力优势，领先业界的宽频带与高功率性能。我们期望可以持续提升至13GHz或更高的带宽。”

    PE42520和PE42521开关可工作于13GHz和36dBm，它们采用了HaRP技术，IIP3线性度可达66dBm，IIP2线性度为115dBm。PE42520的最低工作频率为9KHz，而PE42521是一种快速转换开关，最低工作频率为100MHz。这两种器件都具有较小的滞后响应时间和较快地进入稳态，这对于测量应用来说至关重要。PE42520和PE42521的插入损耗在7.5GHz时是0.7dB。两种器件在7.5GHz时的隔离度都大于41dB。

    PE43704 DSA是串行可寻址器件，具备多种编程模式，包括串行、直接并行和拴锁并行，使其可以满足各种系统要求。该器件具有较高的单调衰减性能，工作频率6GHz以下时0.25dB步进，8GHz时为1.0dB步进，这可改善仪器设备的灵敏度等性能指标。2微秒的快速稳定时间可降低总体测试时间，从而节省成本。2kV HBM的ESD保护，可简化制造环境，提升用户产品的寿命可靠性。1.8V/3.3V控制逻辑支持，使得DSA可以容易地与最新型的FPGA兼容配合。派更半导体的一体化集成芯片，毋需分立元件和偏压电路，大大简化了以往Pin二极管方案的外围分立元件和偏置电路。

    研发支持

    派更半导体同时发布了PE42520、PE42521和PE43704的评估套件。现在就可通过派更半导体全球直销代表和全球分销伙伴订购这些评估套件。

    器件封装，价格与可获得性

    PE42520和PE42521 RF开关现在可提供16-lead 、3m m× 3mm QFN封装。PE43704 DSA可提供32-lead、5mm×5mm QFN封装。这两种器件的样品现在就可订购，预计7月末实现批量规模生产。可向派更半导体的全球直销代表和全球分销伙伴订购。