在techno-frontier 2013上，vishay siliconix将展示在4.5v栅极驱动下最大导通电阻低至0.00135ω的trenchfet gen iv mosfet；powerpak so-8l和8x8l封装的50w前大灯led驱动；优化了热性能和电性能的powerpair器件。重点推出功率ic包括采用3mm x 3mm dfn10封装的28v可编程、受保护的智能负载开关，5mm x 5mm封装的高密度60a功率级；3 mm x 3 mm qfn-16封装的高效16v microbuck稳压器。

   
    vishay semiconductors将展示各种二极管，包括采用smpd封装的45v～120v tmbs? trench mos势垒肖特基整流器；用于电动汽车、ups和太阳能逆变器的第二代 650v fred pt ultrafast二极管；fred pt 超快恢复整流器。另外，vishay semiconductors将在显著位置展示surflight高功率红外表面发射器等光电子产品，带有数字输出的全集成接近传感器，以及1ma和5ma输入电流的光耦。
   
       
    vishay的无源元件包括该公司各种各样的最新电容器、电阻和电感器。重点展示的电阻包括具有高功率密度和可在+275℃高温恶劣环境下使用的vishay dale power metal strip?电阻，以及用于功率计和电池管理应用的高电流power metal strip分流电阻。

   
    特色电容器包括具有业内最小外形尺寸的vishay sprague micro tan汽车级固钽片式电容器；vishay esta功率电子电容器；vishay vitramon通过安全认证的多层陶瓷片式电容器(mlcc)。vishay dale将展出面向汽车应用的薄型、高电流ihlp?器件，用于桌面电脑和服务器的高温通孔电感器等电感器产品。

   
    vishay将在techno-frontier 2013的展位进行两项演示。vishay siliconix将演示用600v和650v的e系列功率mosfet来提高效率。vishay semiconductors将演示一个采用低正向电压和快速开启时间的tmbs整流器，以及具有高阻抗并能减小信号损失的低cj tvs器件的系统。

   
    日前，vishay intertechnology, inc.宣布，将参加7月17日至19日在东京国际展览中心举行的techno-frontier 2013，并在电源系统专项展览power system japan的1d-207展位展出其最新的半导体和无源元件。作为为互联、移动和可持续发展提供元器件方案的供应商，vishay将展示在各个产品线上所取得的业界领先的创新技术，帮助各种应用提高效率和可靠性。