今年硅基氮化镓（GaN-on-Si）基板市场发展急冻。去年5月底，普瑞光电（Bridgelux）与东芝（Toshiba）风光宣布，共同成功开发出基于8吋GaN-on-Si基板技术的发光二极体（LED）晶片，该元件採用350毫安培（mA）电流，电压小于3.1伏特（V）、大小仅1.1毫米、亮度可达614毫瓦（mW）。
不料，在这振奋人心的消息过后不到1年的时间，今年4月底普瑞光电与东芝再度共同宣布，普瑞光电将出售旗下所有GaN-on-Si技术资产予东芝，两者于GaN-on-Si基板上的技术合作将告一段落，此举犹如在业界投下一枚威力不小的震撼弹。
据了解，在最新的协议中，普瑞光电将向东芝出售其GaN-on-Si技术和相关资产，未来双方将透过延长的授权与制造关系，增强策略技术合作。这项资产转移协议相关程序已于5月底顺利完成。
普瑞光电执行长Brad Bullington表示，普瑞光电与东芝将共同迈向GaN-on-Si基板LED固态照明技术的下一个里程碑，未来普瑞光电仍将致力推动GaN-on-Si技术商用化，不过，于此同时，普瑞光电将持续开发蓝宝石LED基板方案，以藉此提供客户更高水准及创新服务。
东芝企业副总裁兼半导体与储存产品执行副总裁Makoto Hideshima认为，与普瑞光电的合作进入新阶段后，东芝就能加快8吋GaN-on-Si LED晶圆的规模化生产，此举将让双方各自的LED业务部门业绩持续成长。不仅如此，东芝获得的GaN-on-Si技术还将为东芝功率元件的开发与生产带来突破。
针对上述消息，晶元光电研发中心副总裁谢明勋指出，普瑞光电与东芝的合作动态正如同磊晶业界的投资风向球，由于GaN-on-Si技术突破需要一段更长的时间，若就单纯以业界目前的进度而言，至少还需3年才能进入大尺寸基板量产的成熟阶段，因此，此次的消息发布并不让人意外。
事实上，目前LED照明市场的基板市占仍以蓝宝石基板及碳化硅（SiC）基板为主，而虽然近年GaN-on-Si基板技术亦快速崛起，但目前GaN-on-Si基板除良率外，还有几项挑战待解。
台积固态照明总经理谭昌琳分析，GaN-on-Si基板刚开始受到关注的塬因，即硅材于半导体制程技术已相当成熟，但实际上GaN-on-Si基板在成长过程当中产生的弯曲情形，并无法适用于现有的晶圆平整设备，因此，生产GaN-on-Si基板的设备投资金额几乎等同于投资一家新的8吋厂，而高昂的投资数目遂成为厂商发展踌躇的一大塬因。
不仅如此，现行大尺寸LED磊晶有机金属化学气相沉积（MOCVD）系统的实战经验不足，去年第四季爱思强（AIXTRON）才推出8吋产线版本，而目前12吋版本基本上仍系单片方案，属于磊晶厂的研发（RD）阶段设备，距离正式运转、大规模商用化还须1~2年测试时间。
另一方面，因硅基板本身具吸光特性，所以厂商为提高LED晶片发光效率，多半都会在磊晶生成以后将硅基板去掉，并须在封装步骤时加上反射层，增强LED晶片整体亮度表现，因此，整体的物料成本是否能显着下降仍充满许多问号。
LED应用遭遇技术瓶颈业界转向功率元件市场
工研院电光所光电元件与系统应用组光电磊晶元件部经理宣融表示，由于LED GaN-on-Si技术门槛高，今年上半年开始，已有几家磊晶厂开始遭遇重大技术瓶颈，加上GaN-on-Si基板技术前段投资金额庞大，厂商在无法达到超过50%的良率情况下，将开始改变投资策略，因此，可预见从今年下半年开始，投资GaN-on-Si基板技术的磊晶厂数量将会急速下滑。
宣融进一步分析，以单颗LED晶粒（Single Die）的成本结构来说，基板、MOCVD系统磊晶生成、晶片制程分别占7%、30%、63%的比例。为使硅基板成本于7%的成本比例中彰显效益、拉开与蓝宝石（Sapphire）基板的差距，GaN-on-Si基板厂商皆将目标放在以8吋晶圆生产，而这也是磊晶厂商决定是否持续投资的重要指标。
宣融解释，在现行的MOCVD机台面积裡，无论晶圆直径大小，皆须切除3毫米（mm）的受热不均匀边缘，因此，若分别将十四片4吋晶圆、八片6吋晶圆、五片8吋晶圆与五十六片2吋晶圆系统投资成本相比，大尺寸晶圆的有效面积将大上许多，以5片8吋晶圆方案为例，由于其有效面积较2吋方案多出74%，因此可以58%的系统投资成本，得到相同的GaN-on-Si基板效益。
有鑑于此，业界正戮力开发6~8吋、甚至12吋的大尺寸GaN-on-Si基板。据了解，目前工研院电光所为国内少数已具备成熟6吋GaN-on-Si基板技术的研究单位，其研发的GaN-on-Si基板的晶体发光效率已达蓝宝石基板方案的七成，并有望于近几个月提升至同样水准；此外，目前电光所研发的GaN-on-Si基板工作电压已接近蓝宝石基板方案上限--3.2伏特（V），未来将进一步降低，以改善GaN薄膜的缺陷密度（Defect Density）。
