东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布开发全球首款掩膜式只读存储器(MROM)单元，以提供更好的单元电流特性，并且单元尺寸不会增加。这一进展是通过采用多层单元结构实现的，该结构还可以保证高速运转。详细信息将于6月14日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期间公布，此次研讨会将于2013年6月11日至14日在日本京都举行。

    MROM的主要作用是存储引导装载程序或固件。智能手机和平板电脑等数字应用的SoC部署的MROM密度正逐年增加，为了缩短存取时间，有必要将每一代的MROM单元尺寸减半。

   
    在典型的MROM位单元(单层单元)中，随着SoC工艺技术的进步，制造方面的变化不断增多，并且单元晶体管的沟道面积不断缩小。因此40纳米一代的存取时间比先前一代工艺有所增加。缩短存取时间需要更大的晶体管，因为更大的单元面积可以保证更大的沟道面积。

   
    东芝已经开发了一种使用面积达到标准单层单元两倍的多位单元，使单元晶体管中的沟道宽度成功扩大了三倍。这也使得单元的电流特性提升了三倍，并且单位面积存储容量未发生任何变化。它使得制造变化的影响降低了42%。

   
    东芝已经使用40纳米一代工艺开发了MROM单元，并计划于2014年为部署该单元的数字应用交付SoC。