今天发布的这些红外发射器采用透明无色封装，在20mA下的典型发光强度达1mW/sr，比市场上的类似器件高33%，开关时间只有15ns。940nm VSMB10940采用GaAIAs多量子井技术，典型正向电压为1.3V;850nm VSMG10850采用双异质技术，正向电压为1.4V。

    VEMD10940F光电二极管具有一个匹配VSMG10850和VSMB10940等830nm～950nm红外发射器的日光滤光片。器件的反向光电流为3µA，暗电流为1nA，峰值敏感度波长为920nm，光电流的温度系数低至0.1%/K。

    VSMG10850、VSMB10940和VEMD10940F的外形很低，适合用在打印机显示屏、电子书阅读器、智能手机、平板电脑、超级本和GPS导航仪等设备的红外触摸板当中。器件可以在车间存放168小时，潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的3级。发射器和光电二极管支持无铅回流焊，并符合Vishay的绿色标准。

    新款红外发射器和光电二极管现可提供样品，并已实现量产，供货周期为六周到八周。