SiC技术比硅材料能够提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性，从而提高性能参数，包括零反向恢复、不受温度影响反应、耐压能力和运行温度。Microsemi的新SiC电源模块具有多种电路拓扑结构，可集成到小型封装;其主体使用氮化铝(AlN)基板，与散热片隔离，从而提高了冷却系统的热传导性能;其他功能还包括高速开关、低开关损耗、低输入电容、低驱动要求、小型化以及最大程度降低寄生电感。