尽管SiC功率器件不断被开发并推向市场，然而到目前为止其市场规模并不大，应用范围并不广。根据市调机构IMS Research的数据，2012年全球SiC功率器件市场只有1亿美元左右，且大部分的应用集中于电源供应器上。

    对此，飞兆半导体亚太区市场营销副总裁蓝建铜指出：“SiC应用市场发展缓慢的主要原因是价格过高。目前，SiC功率器件的价格比Si器件贵10倍以上。造成价格高企的主要原因是SiC器件的制造工艺复杂，产能上不去，良品率低。目前SiC芯片基本是在4英寸晶圆上生产，一片4英寸晶圆只能切几十颗裸片。”

    因此，只有扩大产量，解决良品率问题，使产品销售价格降低，才有望启动市场的应用需求。而根据蓝建铜的预测，市场真正发力的时点大约是在2015年。“预计制造工艺在未来2～3年内会有大幅改进，提高良品率，降低产品价格。此外，2～3年后SiC器件有可能过渡到6英寸晶圆上生产，未来更可能过渡到8英寸晶圆。”在此情况下，预计2015年SiC功率器件的价格有望下降到2012年价格的一半左右，从而有望大幅提高其在市场上的应用比率。

    IMS Research的预测数据也印证了这一点，2015年预计整体SiC功率器件市场规模有望接近5亿美元，2020年将超过20亿美元，提高20倍。其中，增长最快的应用市场可能是UPS与电动汽车，工业驱动器、PV逆变器次之。