灿芯半导体在该物理层设计的PLL，I/O等关键模块上， 采用创新的架构和技术，使其性能相比于竞争者的产品，具有尺寸更小、功耗更低、性能更好的优点。同时，灿芯半导体今年还将推出基于中芯国际55纳米工艺节点的USB物理层设计，并着手开发40纳米工艺节点的USB物理层设计。

    中芯国际首席执行官邱慈云博士指出：“虽然USB3.0已上市多年，但目前市场主流、出货量最大的还是USB2.0。灿芯半导体的USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证，体现了灿芯对于核“芯”技术质量的重视。他们不但追求性能与成本的优越，可靠的品质更是其重要的设计指标。我们期待未来能合作推出更多高品质的技术。”

    “USB无处不在，而USB 2.0仍是目前消费类和工业类芯片中最主流的接口。灿芯半导体致力于设计开发高速接口IP、利用中芯国际先进稳定的0.11微米工艺开发高度整合的USB物理层设计”，灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士说，“灿芯半导体USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证，这对于灿芯半导体在IP开发领域具有里程碑的意义，意味着我们可以为客户提供符合USB-IF认证规范的、高性能的、可靠的USB物理层设计，从而保证客户ASIC产品的质量。”