HS8269采用标准CMOS工艺，将全部电路(射频功率放大器、控制器和天线开关)集成于一颗CMOS晶圆中，实现了目前GaAs射频前端方案至少需要三颗晶圆才能实现的功能，该芯片支持四频段发射(GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900)和双频段接收(GSM/DCS)，能够有效实现功率放大、功率控制、开关切换的功能。

    作为国内首颗可大规模量产并具有完全自主知识产权的CMOS GSM射频前端芯片，HS8269在功率、效率等方面表现出色，这些指标达到或超过同类GaAs射频前端芯片水平。HS8269具有超低的杂散，可以顺利通过各种国家标准(例如CTA等)测试。同时，HS8269具有高可靠性和高静电防护能力：在负载失配VSWR=20:1条件下芯片仍不会损坏; 所有端口人体模式ESD防护能力均在2000V以上，天线端人体模式ESD防护能力在8000V以上。

    HS8269采用LGA封装方式，芯片尺寸为7.0mm x 6.0mm x 1.0mm，管脚设置与主流方案相匹配，真正实现无缝兼容，并将客户的缺货风险降至最低。HS8269芯片内部集成50欧姆负载匹配，外围电路简单，减小了手机布板的复杂性和PCB面积，有效地为客户节省成本。

    “我们一直不断致力于高性价比的无线通信芯片及射频前端产品的创新和研发”，中科汉天下董事长杨清华表示，“HS8269集成在一颗CMOS晶圆上，有更高的集成度、更低的成本。作为一款具有业界最高性价比的CMOS GSM射频前端芯片，HS8269能够帮助我们的客户快速推出更有竞争力的手机终端。”

    HS8269现可提供样品。