宏力半导体的90纳米平台为客户提供了更经济的8英寸工艺解决方案。该平台不仅在芯片栅密度上与业界普遍采用的12英寸90纳米工艺相近，还通过工艺优化的方式减少了掩模板层数，进一步降低了成本。与上一代0.13微米1.5伏低漏电技术相比，新推出的90纳米平台可在相同速度与低漏电的情况下，将逻辑电路尺寸缩小近50%;其后段制程延续了铝导线工艺，也有利于传统8英寸产品的迁徙换代。同时，该平台配备了高密度的标准单元库、存储器IP库和输入输出接口单元库，其中CUP (Circuit Under Pad)输入输出接口单元库的性能面积比达到业内同类技术先进水平。宏力半导体的90纳米平台及其配套IP库可帮助客户进一步缩小芯片面积、优化低功耗设计，为其提供更经济的解决方案。

    企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示：“90纳米是目前宏力半导体最先进的工艺节点。该低漏电平台可打造广泛适用于以USB存储控制器、嵌入式多媒体记忆卡等多种新兴应用为代表的计算机与周边、消费类电子产品以及工业产品。而且，我们的90纳米工艺实现了业界同类技术中最少的掩模板层数，可为客户产品上市抢得先机。”