一种产业的兴起，必定会带动起周边的一系列产业。当前中国共有大大小小400多家IC设计公司，这就带动了IC设计失效分析这样一个行业。纳瑞科技 (Ion Beam)成立于2006年，是一家专业的由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有多年经验的技术骨干创立而成。

    目前国内很多知名IC设计制造公司都是纳瑞的客户，包括珠海矩力、BYD半导体、华为海思、华大科技、大唐、中芯微、硅谷数模、ADI、意法半导体等。2012年半导体业大环境不好，但并没有对纳瑞造成影响，对此纳瑞科技(北京)有限公司销售部经理孟建磊女士表示，因为在IC设计整个环节中，失效分析和可靠性测试必不可少，只要设计公司不削减研发经费，第三方实验室都是可以接到大量实验需求的。对于2013年的前景，纳瑞仍然十分看好。

    纳瑞科技在本次IIC China上着重展示了他们最新的利用FIB技术进行的失效分析，包括FIB透射电镜样品制备和FIB电路修改。FIB透射电镜样品制备的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制 备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

    FIB电路修改则是利用FIB对芯片电路进行物理修改，可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试，以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题，可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片，利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

    纳瑞科技目前在珠海，深圳，北京和上海都有分部，可以为全国各地的集成电路设计和制造工业，光电子工业，纳米材料研究领域提供一流的分析技术服务。特别专注于离子束应用技术在IC芯片修改以及失效分析领域的技术应用及拓展。

    纳瑞的服务宗旨是将为IC芯片设计工程师，IC制造工程师缩短设计，制造时间，增加产品成品率。为研究人员提供，截面分析，二次电子像，以及透射电镜样品制备。同时还为聚焦离子束系统的应用客户提供维修，系统安装，技术升级换代，系统耗材， 以及应用开发和培训。