该款全新产品系列针对软开关应用，在1000V至1400V的电压范围内，利用固有的反并联二极管进行了优化。 随着超越典型非穿通型(NPT) IGBT技术的不断进步，飞兆半导体的阳极短路硅技术可提供更低的饱和电压，比额定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果与竞争对手的IGBT产品相比，该产品系列的拖尾电流速率要低20%以上。 由于具有这些丰富特性，飞兆半导体先进的IGBT因而能提供更佳的热性能、更高的效率以及更低的功耗。

    特点与优势：

    · 高速开关频率范围： 10至50 kHz

    · 业界最低的拖尾电流，可改进开关损耗(FGA20S140P)

    · 与现有的NPT trench IGBT相比，饱和压降更低

    · 电位计检测抗噪能力强健，可提高可靠性

    · 高温稳定特性： Tj(max) = 175 ºC

    · 符合RoHS标准(无铅引脚电镀)

    封装和报价信息(1,000片起订，价格单位：美元)

    按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内

    采用TO-3P 3L封装：

    · 1250V FGA20S125P 2.03

    · 1250V FGA25S125P 2.03

    · 1300V FGA30S120P 5.25

    · 1400V FGA20S140P 2.25

    采用TO-247 3L封装：

    · 1300V FGH30S130P 3.40

    飞兆半导体的场截止阳极短路trench IGBT提供业界领先的技术，以应对在当今设计中遇到的能效和形状因数挑战。 这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。